STE88N65M5

功能描述:MOSFET N-CH 650V 88A ISOTOP

制造商:stmicroelectronics

系列:MDmesh? V

包装:管件

零件状态:有效

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物

FET 功能:标准

漏源极电压(Vdss):650V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):88A

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):29 毫欧 @ 42A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):204nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):8825pF @ 100V

功率 - 最大值:494W

工作温度:150°C(TJ)

安装类型:底座安装

封装/外壳:ISOTOP

供应商器件封装:ISOTOP

标准包装:10

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